ipmash@ipme.ru | +7 (812) 321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН ) Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

Magnetic Properties of Thin Epitaxial SiC Layers Grown by the Atom-Substitution Method on Single-Crystal Silicon Surfaces

Год(ы):
2021
Авторы:
Bagraev N.T. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Romanov V.V. , Klyachkin L.E. , Malyarenko A.M. , Khromov V.S. ,
Название издания:
Semiconductors
Том издания:
55
Выпуск издания:
2
Страницы издания:
137 - 145
Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.