ipmash@ipme.ru | +7 (812) 321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
RU EN
Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН ) Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук
  2. Научная деятельность
  3. Vacancy growth of monocrystalline SiC from Si by the method of self-consistent substitution of atoms

Vacancy growth of monocrystalline SiC from Si by the method of self-consistent substitution of atoms

Год(ы):
2021
Авторы:
к.ф.м.н. Гращенко А.С. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , к.ф.м.н. Редьков А.В. ,
Название издания:
Catalysis Today
ДОИ (doi):
https://doi.org/10.1016/j.cattod.2021.08.012
Веб адрес:
https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-85113233987&doi=10.1016%2fj.cattod.2021.08.012&partnerID=40&md5=67021124e2422bd86a140a169bb92137
Контакты
  • Адрес 199178,Санкт-Петербург,Большой пр. ВО,дом 61
  • Телефон +7 (812) 321-47-78
  • Факс +7 (812) 321-47-71
  • E-MAIL ipmash@ipme.ru
  • эл.почта института Войти
Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.