ipmash@ipme.ru | +7 (812) 321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
RU EN
Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН ) Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук
  2. Научная деятельность
  3. Anomalous properties of the dislocation-free interface between si(111) substrate and 3c-sic(111) epitaxial layer

Anomalous properties of the dislocation-free interface between si(111) substrate and 3c-sic(111) epitaxial layer

Год(ы):
2021
Авторы:
д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. ,
Название издания:
Materials
Том издания:
14
Выпуск издания:
1 / 78
Страницы издания:
1 - 12
ДОИ (doi):
https://doi.org/10.3390/ma14010078
Веб адрес:
https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-85098797932&doi=10.3390%2fma14010078&partnerID=40&md5=5e66fc42dced5e19f6e53ac5f810e7f4
Контакты
  • Адрес 199178,Санкт-Петербург,Большой пр. ВО,дом 61
  • Телефон +7 (812) 321-47-78
  • Факс +7 (812) 321-47-71
  • E-MAIL ipmash@ipme.ru
  • эл.почта института Войти
Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.