ipmash@ipme.ru | +7 (812) 321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН ) Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

A new method for creating nanoprofiled epitaxial silicon carbide surfaces on silicon

Год(ы):
2020
Название издания:
Journal of Physics: Conference Series
Том издания:
1695
Выпуск издания:
1 / 012005
Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.