The Optical Properties, Energy Band Structure, and Interfacial Conductance of a 3C-SiC(111)/Si(111) Heterostructure Grown by the Method of Atomic Substitution
Год(ы):
2020
Авторы:
Название издания:
Technical Physics Letters
Том издания:
46
Выпуск издания:
11
Страницы издания:
1103 - 1106
ДОИ (doi):