ipmash@ipme.ru | +7 (812) 321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН ) Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

MBE synthesis and properties of GaN NWs on SiC/Si substrate and InGaN nanostructures on Si substrate

Год(ы):
2020
Авторы:
Reznik R.R. , Kotlyar K.P. , Khrebtov A.I. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , Kryzhanovskaya N.V. , Cirlin G.E. ,
Название издания:
Journal of Physics: Conference Series
Том издания:
1537
Выпуск издания:
1 / 012003
Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.