Ascending Si diffusion into growing GaN nanowires from the SiC/Si substrate: Up to the solubility limit and beyond
Год(ы):
2020
Авторы:
Talalaev V.G. , Tomm J.W. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Shtrom I.V. , Kotlyar K.P. , Mahler F. , Schilling J. , Reznik R.R. , Cirlin G.E. ,
Название издания:
Nanotechnology
Том издания:
31
Выпуск издания:
29 / 294003
ДОИ (doi):