ipmash@ipme.ru | +7-812-321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
Институт проблем машиноведения РАН ( ИПМаш РАН ) Институт проблем машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

Ascending Si diffusion into growing GaN nanowires from the SiC/Si substrate: Up to the solubility limit and beyond

Название:
Ascending Si diffusion into growing GaN nanowires from the SiC/Si substrate: Up to the solubility limit and beyond
Год(ы):
2020
Авторы:
Talalaev V.G. , Tomm J.W. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Shtrom I.V. , Kotlyar K.P. , Mahler F. , Schilling J. , Reznik R.R. , Cirlin G.E. ,
Название издания:
Nanotechnology
Том издания:
31
Выпуск издания:
29 / 294003
Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.