ipmash@ipme.ru | +7-812-321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
Институт проблем машиноведения РАН ( ИПМаш РАН ) Институт проблем машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

Influence of a Nanoporous Silicon Layer on the Practical Implementation and Specific Features of the Epitaxial Growth of GaN Layers on SiC/por-Si/c-Si Templates

Название:
Influence of a Nanoporous Silicon Layer on the Practical Implementation and Specific Features of the Epitaxial Growth of GaN Layers on SiC/por-Si/c-Si Templates
Год(ы):
2020
Авторы:
Seredin P.V. , Goloshchapov D.L. , Zolotukhin D.S. , Lenshin A.S. , Khudyakov Y.Y. , Mizerov A.M. , Timoshnev S.N. , Arsentyev I.N. , Beltyukov A.N. , Leiste H. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. ,
Название издания:
Semiconductors
Том издания:
54
Выпуск издания:
5
Страницы издания:
596 - 608
Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.