ipmash@ipme.ru | +7-812-321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
Институт проблем машиноведения РАН ( ИПМаш РАН ) Институт проблем машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

Elastic Properties of GaN and AlN Films Formed on SiC/Si Hybrid Substrate, a Porous Basis

Название:
Elastic Properties of GaN and AlN Films Formed on SiC/Si Hybrid Substrate, a Porous Basis
Год(ы):
2020
Название издания:
Mechanics of Solids
Том издания:
55
Выпуск издания:
2
Страницы издания:
157 - 161
Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.