ipmash@ipme.ru | +7 (812) 321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
RU EN
Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН ) Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук
  2. Научная деятельность
  3. Elastic Properties of GaN and AlN Films Formed on SiC/Si Hybrid Substrate, a Porous Basis

Elastic Properties of GaN and AlN Films Formed on SiC/Si Hybrid Substrate, a Porous Basis

Год(ы):
2020
Авторы:
к.ф.м.н. Гращенко А.С. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. ,
Название издания:
Mechanics of Solids
Том издания:
55
Выпуск издания:
2
Страницы издания:
157 - 161
ДОИ (doi):
https://doi.org/10.3103/S0025654420020107
Веб адрес:
https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-85090027719&doi=10.3103%2fS0025654420020107&partnerID=40&md5=c5cc0917b47563f89f94cd84d17b4172
Контакты
  • Адрес 199178,Санкт-Петербург,Большой пр. ВО,дом 61
  • Телефон +7 (812) 321-47-78
  • Факс +7 (812) 321-47-71
  • E-MAIL ipmash@ipme.ru
  • эл.почта института Войти
Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.