ipmash@ipme.ru | +7 (812) 321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН ) Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

Nonequilibrium heteroepitaxy of silicon carbide on silicon

Год(ы):
2005
Авторы:
Название издания:
Technical Physics Letters
Том издания:
31
Выпуск издания:
10
Страницы издания:
859 - 861
Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.