ipmash@ipme.ru | +7 (812) 321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН ) Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

Radiationless recombination mechanisms in GaN surface layers determined from photoluminescence

Год(ы):
2003
Авторы:
Bessolov V.N. , Evstropov V.V. , д.т.н. Фрадков А.Л. , Fedirko V.A. , Kompan M.E. , Konenkova E.V. , Zhilyaev Yu.V. ,
Название издания:
Physica Status Solidi (A) Applied Research
Том издания:
195
Выпуск издания:
1 SPEC
Страницы издания:
106 - 111
Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.