ipmash@ipme.ru | +7 (812) 321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН ) Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук
Осипова Елена Владимировна

Осипова Елена Владимировна - Старший научный сотрудник - Математическое моделирование волновых процессов

Осипова Елена Владимировна
Должность :
Старший научный сотрудник
Ученая степень :
Кандидат физико-математических наук
Scopus :
РИНЦ :
Web of Science ResearcherID :
В.О., Большой пр. 61, ИПМаш РАН, 199178 СПб, Россия
Области научных интересов :
нелинейные эффекты распространения волн, расчет упругих свойств новых материалов методом функционала плотности
Профессиональная деятельность :

Перечень ранее полученных основных научных результатов

1. Построена теория локализации как линейных, так и нелинейных волн в упругих средах с включениями.

2. Изучена динамика процесса водородного охрупчивания металлов под действием нагрузки. Построена статистическая модель образования гидридной фазы в наводороженных металлах под действием нагрузки.

3. Построена двухтемпературная модель оптического возбуждения звука в металлах. Установлено количественное соответствие разработанной модели и экспериментально измеренным формам фотоакустических импульсов для меди и алюминия.

4. Исследовано флуктуационное охрупчивание алюминия, вызванное водородом. Изучено формирование поверхностного слоя водорода в чистом алюминии. Методами ab-initio дан исчерпывающий анализ водородоустойчивости алюминия и алюминиевых сплавов. Показано, что вольфрам и рений являются наиболее эффективными добавками, повышающими водородоустойчивость алюминия.

5. Методами ab-initioизучены анизотропные упругие и оптические характеристики трех различных фаз нового полупроводникового материала Ga2O3, а именно, alpha, beta, epsilon фаз и установлено качественно соответствие полученных результатов экспериментальным данным. Изучены реконструктивные фазовые переходы при отжиге из alpha в beta фазу и из epsilon в beta фазу. Установлено качественное соответствие результатов моделирования и экспериментальных результатов.

6. Исследовано явление самоорганизованного изменения состава эпитаксиальных слоев твердого раствора AlxGa1-xN при их росте методом хлорид-гидридной эпитаксии.

7. Методами ab-initio изучен механизм миграции молекул CO и SiO в карбиде кремния при росте гетероструктур.

8. Методами ab-initio изучены спинтронные свойства границы раздела между Si(111) и 3C-SiC(111), выращенным на Si(111) методом согласованного замещения атомов.

Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.