ipmash@ipme.ru | +7 (812) 321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН ) Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук
Шейнерман А.Г.

Шейнерман А.Г. - Ведущий научный сотрудник - Лаборатория механики наноматериалов и теории дефектов

Шейнерман А.Г.
Должность :
Ведущий научный сотрудник
Ученая степень :
Доктор физико-математических наук
г. Санкт-Петербург, В.О. Большой проспект д.61
Области научных интересов :
Моделирование процессов пластической деформации и разрушения в наноструктурных и композиционных материалах; механика дефектов в гетероструктурах фотоники и оптоэлектроники.
Награды :
Премия РАО ЕЭС и РАН (2005)
Профессиональная деятельность :

В 1993 году окончил физико-математический лицей 239, а в 1999 году – физико-механический факультет Санкт-Петербургского государственного технического университета. В том же году поступил в аспирантуру при Институте проблем машиноведения РАН, а в 2002 году защитил кандидатскую диссертацию по специальностям «механика деформируемого твердого тела» и «физика конденсированного состояния». В 2009 году защитил докторскую диссертацию по этим же специальностям. С 2002 года по настоящее время работал в Институте проблем машиноведения РАН в должностях от младшего до ведущего научного сотрудника. С 2013 по 2021 год работал ведущим, а затем главным научным сотрудником в лаборатории механики перспективных массивных наноматериалов для инновационных инженерных приложений Санкт-Петербургского государственного университета. С 2014 года по настоящее время работал в лаборатории механики новых наноматериалов Санкт-Петербургского политехнического университета в качестве ведущего научного сотрудника, затем главного научного сотрудника, а также заведующего лабораторией.

Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.