Поиск по тегу «ingan» Новости Ученые объяснили механизм формирования материалов для нового поколения оптоэлектронных устройств Физики ИПМаш РАН, СПбГУ,ВШЭ и СПбАУ изучили механизм формирования трехмерных структур на перспективном полупроводниковом сплаве индий-галий-нитрид. 90