Поиск по тегу «silicon carbide»

Кукушкин Сергей Арсеньевич и Осипов Андрей Викторович стали соавторами книги, посвящённой материалам и устройствам из карбида кремния

Ученые ИПМаш РАН создали первую российскую технологию получения карбида кремния – кристаллического материала для микроэлектроники. Она проста в получении и многократно дешевле зарубежных технологий

Доклад на Научном совете ОНИТ РАН "Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для ее создания" д.ф-м.н. А.В. Осипова.