Ученые ИПМаш РАН создали первую российскую технологию получения карбида кремния – кристаллического материала для микроэлектроники. Она проста в получении и многократно дешевле зарубежных технологий
Доклад на Научном совете ОНИТ РАН "Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для ее создания" д.ф-м.н. А.В. Осипова.
582
Контакты
Адрес
199178,г.Санкт-Петербург,Большой проспект В.О.,д.61