ipmash@ipme.ru | +7-812-321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
ИПМаш РАН ИПМаш РАН

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук
Кукушкин С.А.

Кукушкин С.А.

Кукушкин С.А.
Должность:
Руководитель подразделения
Ученое звание:
Профессор
Ученая степень:
Доктор физико-математических наук
Scopus:
РИНЦ:
Рабочий адрес:
г. Санкт-Петербург, В.О. Большой проспект д.61, пом 32,33
Телефон:
+7911-262-17-02
Области научных интересов:
Область научных интересов – термодинамика и кинетика фазовых переходов первого рода, теория зарождения и роста новой фазы на поверхности твёрдых тел, нано и-микромеханика начальных стадий разрушения твердых тел, теория фазовых переходов и теория переключения в сегнетоэлектриках-сегнетоэластиках, рост нитевидных нано- кристаллов (вискеров), рост и зарождение квантовых точек, физика и механика поверхности, фазовые переходы первого рода в деформируемых телах, исследование образования и роста наноструктур и тонких пленок, механохимия, рост и образование эпитаксиальных пленок шикрокозонных полупроводников, пленки карбида кремния, плёнки нитридов алюминия галлия, индия и их твёрдых растворов, пленки сегнетоэлектриков.
Награды:
• Премия Президиума РАН им. П.А. Ребиндера за 2010 год. За цикл работ: «Химическая самосборка кристаллической поверхности: новый метод направленной нуклеации эпитаксиальных пленок». Выписка и постановления Президиума РАН от 21 декабря 2010 г.” Президиум Российской академии наук ПОСТАНОВИЛ: «- присудить премию имени П.А. Ребиндера 2010 года доктору физико-математических наук Кукушкину Сергею Арсеньевичу за цикл работ «Химическая самосборка кристаллической поверхности: новый метод направленной нуклеации эпитаксиальных пленок». Представленный цикл работ посвящен разработке нового метода выращивания эпитаксиальных пленок карбида кремния на кристаллических поверхностях при большом различии в параметрах решеток пленки и подложки. Автором осуществлена «самосборка» пленок карбида кремния на кремневой подложке путем образования нанообъектов – упругих дилатационных диполей, что позволило объяснить большой ряд химических и физико-химических явлений, протекающих на поверхностях. Качество структуры слоев, полученных данным методом, значительно превосходит качество пленок карбида кремния, выращенных на кремниевых подложках ведущими мировыми компаниями. Развитые автором технологии выращивания и обработки кремния открывают новые перспективы для развития микро- нано- и оптоэлектроники, создают беспрецедентные условия для производства приборов нового поколения. В частности, этот процесс перспективен для производства дешевых структур для светоизлучающих диодов.»
• Премия Правительства Санкт-Петербурга и Санкт-Петербургского НЦ РАН имени А.Ф. Иоффе 2014 г., за цикл фундаментальных работ и создание технологии по выращиванию бездефектных пленок карбида кремния, открывающих уникальные возможности для использования нанопленок в микро-, нано- и оптоэлектронике.
• Заслуженный деятель науки РФ. Указ Президента России от 4 июля 2016.
• Стипендия МИНПРОМТОГРГА за значительный вклад в создание новой прорывной технологии и разработку современных образцов ВВСТ, ЗА 2017 год.
Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.