Кукушкин С.А. · Научная деятельность — Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

MATERIALS OF THE INTERNATIONAL CONFERENCE “MECHANISMS AND NON-LINEAR PROBLEMS OF NUCLEATION AND GROWTH OF CRYSTALS AND THIN FILMS”, DEDICATED TO THE MEMORY OF THE OUTSTANDING THEORETICAL PHYSICIST PROFESSOR V.V. SLEZOV

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.ф.м.н. Кукушкин С.А.

Название издания:

Mechanics of Solids

Том издания:

55

Выпуск издания:

1

Страницы издания:

1 - 5

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.3103/S0025654420010148

Vacancy Growth of a Faceted Pore in a Crystal via Chernov Mechanism

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

к.ф.м.н. Редьков А.В. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В.

Название издания:

Mechanics of Solids

Том издания:

55

Выпуск издания:

1

Страницы издания:

77 - 83

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.3103/S0025654420010136

Elastic Properties of GaN and AlN Films Formed on SiC/Si Hybrid Substrate, a Porous Basis

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

к.ф.м.н. Гращенко А.С. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В.

Название издания:

Mechanics of Solids

Том издания:

55

Выпуск издания:

2

Страницы издания:

157 - 161

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.3103/S0025654420020107

Optical Properties of GaN/SiC/por-Si/Si(111) Hybrid Heterostructures

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Seredin P.V. , Goloshchapov D.L. , Zolotukhin D.S. , Lenshin A.S. , Mizerov A.M. , Timoshnev S.N. , Nikitina E.V. , Arsentiev I.N. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А.

Название издания:

Semiconductors

Том издания:

54

Выпуск издания:

4

Страницы издания:

417 - 425

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S1063782620040168

Development of Burton-Cabrera-Frank Theory for the Growth of a Non-Kossel Crystal via Chemical Reaction

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

к.ф.м.н. Редьков А.В. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А.

Название издания:

Crystal Growth and Design

Том издания:

20

Выпуск издания:

4

Страницы издания:

2590 - 2601

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1021/acs.cgd.9b01721

Ascending Si diffusion into growing GaN nanowires from the SiC/Si substrate: Up to the solubility limit and beyond

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Talalaev V.G. , Tomm J.W. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Shtrom I.V. , Kotlyar K.P. , Mahler F. , Schilling J. , Reznik R.R. , Cirlin G.E.

Название издания:

Nanotechnology

Том издания:

31

Выпуск издания:

29 / 294003

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1088/1361-6528/ab83b6

Influence of a Nanoporous Silicon Layer on the Practical Implementation and Specific Features of the Epitaxial Growth of GaN Layers on SiC/por-Si/c-Si Templates

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Seredin P.V. , Goloshchapov D.L. , Zolotukhin D.S. , Lenshin A.S. , Khudyakov Y.Y. , Mizerov A.M. , Timoshnev S.N. , Arsentyev I.N. , Beltyukov A.N. , Leiste H. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А.

Название издания:

Semiconductors

Том издания:

54

Выпуск издания:

5

Страницы издания:

596 - 608

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S1063782620050115

Epitaxial Growth of Bulk Semipolar AlN Films on Si(001) and Hybrid SiC/Si(001) Substrates

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , к.ф.м.н. Редьков А.В. , к.ф.м.н. Шарофидинов Ш.Ш.

Название издания:

Technical Physics Letters

Том издания:

46

Выпуск издания:

6

Страницы издания:

539 - 542

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S106378502006005X

MBE synthesis and properties of GaN NWs on SiC/Si substrate and InGaN nanostructures on Si substrate

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Reznik R.R. , Kotlyar K.P. , Khrebtov A.I. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , Kryzhanovskaya N.V. , Cirlin G.E.

Название издания:

Journal of Physics: Conference Series

Том издания:

1537

Выпуск издания:

1 / 012003

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1088/1742-6596/1537/1/012003

Growth of faceted pores in a multi-component crystal by applying mechanical stress

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

к.ф.м.н. Редьков А.В. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В.

Название издания:

CrystEngComm

Том издания:

22

Выпуск издания:

32

Страницы издания:

5280 - 5288

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1039/d0ce00888e

Investigation of the Hardness and Young’s Modulus in Thin Near-Surface Layers of Silicon Carbide from the Si- and C-Faces by Nanoindentation

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.ф.м.н. Осипов А.В. , к.ф.м.н. Гращенко А.С. , Gorlyak A.N. , Lebedev A.O. , Luchinin V.V. , Markov A.V. , Panov M.F. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А.

Название издания:

Technical Physics Letters

Том издания:

46

Выпуск издания:

8

Страницы издания:

763 - 766

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S106378502008012X

Coating of a Nanostructured Profiled Si Surface with a SiC Layer

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

к.ф.м.н. Гращенко А.С. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В.

Название издания:

Technical Physics Letters

Том издания:

46

Выпуск издания:

10

Страницы издания:

1012 - 1015

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S1063785020100235

The Optical Properties, Energy Band Structure, and Interfacial Conductance of a 3C-SiC(111)/Si(111) Heterostructure Grown by the Method of Atomic Substitution

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В.

Название издания:

Technical Physics Letters

Том издания:

46

Выпуск издания:

11

Страницы издания:

1103 - 1106

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S1063785020110243

Spiral growth of a multicomponent crystal from vapor of its components

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

к.ф.м.н. Редьков А.В. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В.

Название издания:

Journal of Crystal Growth

Том издания:

548

Выпуск издания:

/ 125845

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2020.125845

Low-Temperature Growth of the CdS Cubic Phase by Atomic-Layer Deposition on SiC/Si Hybrid Substrates

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Romanychev A.I. , Kasatkin I.A. , Loshachenko A.S.

Название издания:

Technical Physics Letters

Том издания:

46

Выпуск издания:

11

Страницы издания:

1049 - 1052

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S1063785020110085

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

Кукушкин С.А. - Руководитель подразделения - Структурные и фазовые превращения в конденсированных средах

MATERIALS OF THE INTERNATIONAL CONFERENCE “MECHANISMS AND NON-LINEAR PROBLEMS OF NUCLEATION AND GROWTH OF CRYSTALS AND THIN FILMS”, DEDICATED TO THE MEMORY OF THE OUTSTANDING THEORETICAL PHYSICIST PROFESSOR V.V. SLEZOV

Vacancy Growth of a Faceted Pore in a Crystal via Chernov Mechanism

Elastic Properties of GaN and AlN Films Formed on SiC/Si Hybrid Substrate, a Porous Basis

Optical Properties of GaN/SiC/por-Si/Si(111) Hybrid Heterostructures

Development of Burton-Cabrera-Frank Theory for the Growth of a Non-Kossel Crystal via Chemical Reaction

Ascending Si diffusion into growing GaN nanowires from the SiC/Si substrate: Up to the solubility limit and beyond

Influence of a Nanoporous Silicon Layer on the Practical Implementation and Specific Features of the Epitaxial Growth of GaN Layers on SiC/por-Si/c-Si Templates

Epitaxial Growth of Bulk Semipolar AlN Films on Si(001) and Hybrid SiC/Si(001) Substrates

MBE synthesis and properties of GaN NWs on SiC/Si substrate and InGaN nanostructures on Si substrate

Growth of faceted pores in a multi-component crystal by applying mechanical stress

Investigation of the Hardness and Young’s Modulus in Thin Near-Surface Layers of Silicon Carbide from the Si- and C-Faces by Nanoindentation

Coating of a Nanostructured Profiled Si Surface with a SiC Layer

The Optical Properties, Energy Band Structure, and Interfacial Conductance of a 3C-SiC(111)/Si(111) Heterostructure Grown by the Method of Atomic Substitution

Spiral growth of a multicomponent crystal from vapor of its components

Low-Temperature Growth of the CdS Cubic Phase by Atomic-Layer Deposition on SiC/Si Hybrid Substrates

Контакты