27 февраля 2025 г. в ИПМаш РАН были проведены успешные испытания новой установки с уникальным реактором, разработанным для синтеза новых широкозонных полупроводниковых гетерогенных структур на основе пленок карбида кремния на кремнии. Это позволит наладить производство опытных партий специальных подложек кубического карбида кремния на кремнии для роста транзиторных структур GaN диаметром до 150 мм включительно.

Установка создана в лаборатории «Структурных и фазовых превращений» в рамках выполнения гранта РНФ «Разработка специальных подложек кубического карбида кремния на кремнии (3C-SiC/Si) для роста транзисторных гетероструктур Ga(Al)N с высокой подвижностью носителей заряда (HEMT)».

Директор ИПМаш РАН, д.т.н. Владимир Анатольевич Полянский и заведующий лабораторией Структурных и фазовых превращений, д.ф.-м.наук Сергей Арсеньевич Кукушкин.

Сотрудники лаборатории Структурных и фазовых превращений (слева направо) : старший научный сотрудник, к.ф.-м.наук Гращенко Александр Сергеевич; ведущий инженер Разумов Сергей Владимирович; заведующий лабораторией д.ф.-м.наук Сергей Арсеньевич Кукушкин; Стажер-исследователь, аспирант Воробьёв Максим Геннадьевич.; ведущий научный сотрудник к.ф.-м.наук Редьков Алексей Викторович; главный научный сотрудник, д.ф.-м.наук Осипов Андрей Викторович