Поиск по тегу «карбид кремния»

Ученые ИПМаш РАН создали технологию получения кремниевых вакансий – дефектов в кристаллической решетке карбида кремния, которые делают этот материал эффективным для спинтроники

Кукушкин Сергей Арсеньевич и Осипов Андрей Викторович стали соавторами книги, посвящённой материалам и устройствам из карбида кремния

«Санкт-Петербург» и «ЛенТВ24» рассказали о новом материале, выращенном сотрудниками лаборатории «Структурные и фазовые превращения в конденсированных средах», возглавляемой С.А. Кукушкиным

Ученые ИПМаш РАН создали первую российскую технологию получения карбида кремния – кристаллического материала для микроэлектроники. Она проста в получении и многократно дешевле зарубежных технологий

Методику получения нового материала для спинтроники, разработанную д.ф-м.н. С.А. Кукушкиным и д.ф-м.н. А.В. Осиповым, президент РАН назвал «новым словом в спинтронике»

Доклад на Научном совете ОНИТ РАН "Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для ее создания" д.ф-м.н. А.В. Осипова.

Ученые ИПМаш РАН, опираясь на результаты своих фундаментальных исследований, разработали новую промышленную технологию производства подложек из наномасштабного карбида кремния для производства полупроводниковых элементов.

Перспективные разработки и потенциал полупроводников на основе «карбида кремния» в технологиях, предложенные доктором физико-технических наук Кукушкиным Сергеем Арсеньевичем.