ipmash@ipme.ru | +7-812-321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
Институт проблем машиноведения РАН ( ИПМаш РАН ) Институт проблем машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

Поиск по тегу «карбид кремния»

Результат, полученный в ИПМаш РАН, президент РАН назвал одним из важнейших научных достижений 2021г.
Методику получения нового материала для спинтроники, разработанную д.ф-м.н. С.А. Кукушкиным и д.ф-м.н. А.В. Осиповым, президент РАН назвал «новым словом в спинтронике»
В ИПМаш РАН разработан принципиально новый материал для спинтроники: карбид кремния на кремнии
Доклад на Научном совете ОНИТ РАН "Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для ее создания" д.ф-м.н. А.В. Осипова.
Корреспонденты ТАСС отметили, успех сотрудников ИПМаш РАН в создании светодиодов нового поколения.
Ученые ИПМаш РАН, опираясь на результаты своих фундаментальных исследований, разработали новую промышленную технологию производства подложек из наномасштабного карбида кремния для производства полупроводниковых элементов.
Перспективы отечественных полупроводников.
Перспективные разработки и потенциал полупроводников на основе «карбида кремния» в технологиях, предложенные доктором физико-технических наук Кукушкиным Сергеем Арсеньевичем.
Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.