ipmash@ipme.ru | +7 (812) 321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН ) Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

Ученые ИПМаш разработали технологию для получения вакансий в кристаллической решетке кремния

Спинтроника — это область науки, которая изучает применение свойств спина (магнитного момента) частиц, таких как электроны, в создании новых устройств и приборов. К началу XXI века стало ясно, что наиболее подходящими новыми материалами для спинтроники могут быть не только идеальные кристаллы, а кристаллы, содержащие вакансии. Вакансии — это дефекты в кристаллической решетке, которые могут создаваться разнообразными процессами, такими как облучение, нагревание или давление. Их наличие может значительно влиять на свойства кристаллов: изменять твердость, электрическую проводимость, оптические свойства и т.д.

В частности, перспективной считается кремниевая в карбиде кремния. Энергия образования кремниевых вакансий в карбиде кремния чрезвычайно высока, поэтому в настоящее время их получают облучением пучками высокоэнергетичных частиц. Но вакансий с нужными свойствами получается при облучении очень мало, порядка 108-1012 см-3.

«В лаборатории структурных и фазовых превращений Института проблем машиноведения РАН под руководством зав. лаб., проф. Сергея Кукушкина была впервые разработана технология, позволяющая получать кремниевые вакансии в SiC в нужном количестве», — рассказал главный научный сотрудник лаборатории структурных и фазовых превращений в конденсированных средах ИПМаш РАН Андрей Осипов.

Новая технология, разработанная в ИПМаш РАН, вначале создает кремниевые вакансии в кремнии вместо карбида кремния, что не только проще, но и эффективнее. Затем верхняя часть кремния с вакансиями превращается в слой карбида кремния за счет химической реакции. Концентрация кремниевых вакансий при этой технологии на много порядков выше, чем при облучении, а распределение по поверхности однороднее. Этот новый материал обеспечивает высокую плотность спин-поляризованного тока, который может использоваться в коммерческих целях.

Ранее ученые Института проблем машиноведения (ИПМаш) РАН создали первую российскую технологию получения карбида кремния – кристаллического материала для микроэлектроники, по характеристикам превосходящего использующиеся в настоящее время кремний. Технология проста в получении и многократно дешевле существующих зарубежных технологий.

13:04
714
Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.