ipmash@ipme.ru | +7 (812) 321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН ) Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук
Показатели Научной деятельности Института

Места в рейтингах.Согласно международному рейтингу SCIMAGO INSTITUTIONS RANKING


Международный рейтинг SCIMAGO INSTITUTIONS RANKING на 2021 год.
В общем рейтинге всех научных организаций России, ИПМаш РАН -39 из 146. В общем рейтинге среди всех организаций науки и высшего образования в России, ИПМаш РАН занимает 88 из 319

Общий рейтинг по областям исследований, среди государственных научных учреждений

Последние объявления о диссертациях
Формирование металлических наночастиц в кристаллах при электронном облучении
Управляемая синхронизация в сетях нейронов Хиндмарша-Роуза
АКУСТИЧЕСКАЯ АНИЗОТРОПИЯ КОНСТРУКЦИОННЫХ МАТЕРИАЛОВ С НАКОПЛЕННОЙ ПОВРЕЖДЕННОСТЬЮ И ОСТАТОЧНЫМИ ПЛАСТИЧЕСКИМИ ДЕФОРМАЦИЯМИ
"Динамика редуцированных сред Коссера и гироконтинуумов"
Управление с гарантией заданного качества регулирования в установившемся и переходном режимах
Последние семинары
Итоги международных конференций по теории управления 2024 года
Формализм Коши: дисперсионные уравнения, ZGV, фаза Эйри, конусы Дирака и др.
"Обобщение задачи Капицы на ряд одинарных маятников и маятниковых систем" (по материалам докторской диссертации)

Научная деятельность

Показать фильтр
НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ
Авторы:
Aleksandrov A.Y. , Semenov A.D. , д.т.н. Фрадков А.Л.
Название издания:
Automation and Remote Control
Том издания:
81
Выпуск издания:
4
Страницы издания:
637 - 648
НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ
Название издания:
Crystal Growth and Design
Том издания:
20
Выпуск издания:
4
Страницы издания:
2590 - 2601
НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ
Название издания:
Crystals
Том издания:
10
Выпуск издания:
4 / 321
НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ
Авторы:
Seredin P.V. , Goloshchapov D.L. , Zolotukhin D.S. , Lenshin A.S. , Mizerov A.M. , Timoshnev S.N. , Nikitina E.V. , Arsentiev I.N. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А.
Название издания:
Semiconductors
Том издания:
54
Выпуск издания:
4
Страницы издания:
417 - 425
НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ
Название издания:
Physical Review E
Том издания:
101
Выпуск издания:
4 / 042209
НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ
Авторы:
Shevlyakov G. , Kan M.
Название издания:
Conference of Open Innovation Association, FRUCT
Том издания:
2020-April
Выпуск издания:
/ 9087459
Страницы издания:
402 - 407
НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ
Название издания:
Pattern Recognition and Image Analysis
Том издания:
30
Выпуск издания:
2
Страницы издания:
203 - 210
НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ
Авторы:
Название издания:
Symmetry
Том издания:
12
Выпуск издания:
4 / 528
НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ
Название издания:
Symmetry
Том издания:
12
Выпуск издания:
4 / 521
НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ
Авторы:
Dobretsov R.Yu. , Porshnev G.P. , Semenov A.G. , Komarov I.A. , Telyatnikov D.E.
Название издания:
IOP Conference Series: Materials Science and Engineering
Том издания:
791
Выпуск издания:
1 / 012025
НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ
Название издания:
Journal of Molecular Liquids
Том издания:
304
Выпуск издания:
/ 112753
НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ
Название издания:
Optimal Control Applications and Methods
Том издания:
41
Выпуск издания:
3
Страницы издания:
898 - 947
НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ
Название издания:
European Journal of Mechanics, A/Solids
Том издания:
81
Выпуск издания:
/ 103967
НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ
Авторы:
Seredin P.V. , Goloshchapov D.L. , Zolotukhin D.S. , Lenshin A.S. , Khudyakov Y.Y. , Mizerov A.M. , Timoshnev S.N. , Arsentyev I.N. , Beltyukov A.N. , Leiste H. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А.
Название издания:
Semiconductors
Том издания:
54
Выпуск издания:
5
Страницы издания:
596 - 608
НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ
Авторы:
Talalaev V.G. , Tomm J.W. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Shtrom I.V. , Kotlyar K.P. , Mahler F. , Schilling J. , Reznik R.R. , Cirlin G.E.
Название издания:
Nanotechnology
Том издания:
31
Выпуск издания:
29 / 294003
Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.