Кукушкин С.А. - Руководитель подразделения - Структурные и фазовые превращения в конденсированных средах
Мои записи:
В разделе: Блог 4
Должность :
Руководитель подразделения
Ученое звание :
Профессор
Ученая степень :
Доктор физико-математических наук
Подразделение :
РИНЦ :
ResearchGate :
г. Санкт-Петербург, В.О. Большой проспект д.61, пом 32,33
+7911-262-17-02
Области научных интересов :
Область научных интересов – термодинамика и кинетика фазовых переходов первого рода, теория зарождения и роста новой фазы на поверхности твёрдых тел, нано и-микромеханика начальных стадий разрушения твердых тел, теория фазовых переходов и теория переключения в сегнетоэлектриках-сегнетоэластиках, рост нитевидных нано- кристаллов (вискеров), рост и зарождение квантовых точек, физика и механика поверхности, фазовые переходы первого рода в деформируемых телах, исследование образования и роста наноструктур и тонких пленок, механохимия, рост и образование эпитаксиальных пленок шикрокозонных полупроводников, пленки карбида кремния, плёнки нитридов алюминия галлия, индия и их твёрдых растворов, пленки сегнетоэлектриков.
Награды :
• Премия Президиума РАН им. П.А. Ребиндера за 2010 год. За цикл работ: «Химическая самосборка кристаллической поверхности: новый метод направленной нуклеации эпитаксиальных пленок». Выписка и постановления Президиума РАН от 21 декабря 2010 г.” Президиум Российской академии наук ПОСТАНОВИЛ: «- присудить премию имени П.А. Ребиндера 2010 года доктору физико-математических наук Кукушкину Сергею Арсеньевичу за цикл работ «Химическая самосборка кристаллической поверхности: новый метод направленной нуклеации эпитаксиальных пленок». Представленный цикл работ посвящен разработке нового метода выращивания эпитаксиальных пленок карбида кремния на кристаллических поверхностях при большом различии в параметрах решеток пленки и подложки. Автором осуществлена «самосборка» пленок карбида кремния на кремневой подложке путем образования нанообъектов – упругих дилатационных диполей, что позволило объяснить большой ряд химических и физико-химических явлений, протекающих на поверхностях. Качество структуры слоев, полученных данным методом, значительно превосходит качество пленок карбида кремния, выращенных на кремниевых подложках ведущими мировыми компаниями. Развитые автором технологии выращивания и обработки кремния открывают новые перспективы для развития микро- нано- и оптоэлектроники, создают беспрецедентные условия для производства приборов нового поколения. В частности, этот процесс перспективен для производства дешевых структур для светоизлучающих диодов.»
• Премия Правительства Санкт-Петербурга и Санкт-Петербургского НЦ РАН имени А.Ф. Иоффе 2014 г., за цикл фундаментальных работ и создание технологии по выращиванию бездефектных пленок карбида кремния, открывающих уникальные возможности для использования нанопленок в микро-, нано- и оптоэлектронике.
• Заслуженный деятель науки РФ. Указ Президента России от 4 июля 2016.
• Стипендия МИНПРОМТОГРГА за значительный вклад в создание новой прорывной технологии и разработку современных образцов ВВСТ, ЗА 2017 год.
• Премия Правительства Санкт-Петербурга и Санкт-Петербургского НЦ РАН имени А.Ф. Иоффе 2014 г., за цикл фундаментальных работ и создание технологии по выращиванию бездефектных пленок карбида кремния, открывающих уникальные возможности для использования нанопленок в микро-, нано- и оптоэлектронике.
• Заслуженный деятель науки РФ. Указ Президента России от 4 июля 2016.
• Стипендия МИНПРОМТОГРГА за значительный вклад в создание новой прорывной технологии и разработку современных образцов ВВСТ, ЗА 2017 год.