Стручков В.В. · Новости

Новогоднее поздравление сотрудникам от директора ИПМаш РАН - Владимира Анатольевича Полянского

Кузнецов Вячеслав Геннадьевич был внесён четвёртый раз в федеральный реестр экспертов научно-технической сферы.

В издательстве «Лань» вышла монография - «Движение капли в несжимаемой жидкости»., перевод которой был издан также издательством Springer.

В издательстве Springer вышла монография главного научного сотрудника, профессора Юрия Ивановича Мещерякова «Multiscale Mechanics of Shock Wave Processes»

Сотрудники ИПМаш РАН принимают участие в конгрессе молодых учёных, приуроченному к 2021 году Науки и технологий

Главное в России научное мероприятие по механике — 13-й Всероссийский съезд по фундаментальным проблемам теоретической и прикладной механики — пройдет в августе 2023 года в СПбПУ имени Петра Великого

Доклад на Научном совете ОНИТ РАН "Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для ее создания" д.ф-м.н. А.В. Осипова.

​Сотрудниками ИПМаш РАН при реализации проекта, посвящённому влиянию водорода на металлы был задействован принцип Анри Ле Шателье.

По результатам конкурса Минобрнауки, в ИПМаш РАН создана новая молодёжная лаборатория.

Корреспонденты ТАСС посвятили статью новым прорывным результатам исследований, выполненных в лаборатории структурных и фазовых превращений в конденсированных средах.

Ученые ИПМаш РАН, опираясь на результаты своих фундаментальных исследований, разработали новую промышленную технологию производства подложек из наномасштабного карбида кремния для производства полупроводниковых элементов.

В этом году завершили обучение в Сколково: д.т.н. Фуртат Игорь Борисович и к.ф-м.н. Редьков Алексей Викторович. Они поделились впечатлениями и опытом, которые были получены за период обучения.

Институту проблем машиноведения РАН – 30 лет!

Сотрудниками ИПМаш РАН под руководством профессора, доктора технических наук Игоря Борисовича Фуртата разработан новый дивергентный метод исследования устойчивости динамических систем.

Перспективные разработки и потенциал полупроводников на основе «карбида кремния» в технологиях, предложенные доктором физико-технических наук Кукушкиным Сергеем Арсеньевичем.