ipmash@ipme.ru | +7 (812) 321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН ) Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

Institute for Problems in Mechanical Engineering
of the Russian Academy of Sciences

Institute for Problems in Mechanical Engineering of the Russian Academy of Sciences

TEM investigation of semipolar GaN layers grown on Si(001) offcut substrates

Year(s):
2015
Autors:
Sorokin L.M. , Myasoedov A.V. , Kalmykov A.E. , Kirilenko D.A. , Bessolov V.N. , d.o.p.a.m.s. Kukushkin S.A. ,
Name Publication:
Semiconductor Science and Technology
Volume Publication:
30
Issue Publication:
11 / 114002
Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.