ipmash@ipme.ru | +7 (812) 321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН ) Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

Institute for Problems in Mechanical Engineering
of the Russian Academy of Sciences

Institute for Problems in Mechanical Engineering of the Russian Academy of Sciences

Study of SiC buffer layer thickness influence on photovoltaic properties of n-GaN NWs/SiC/p-Si heter

Year(s):
2019
Autors:
Shugurov K.Y. , Reznik R.R. , Mozharov A.M. , Kotlyar K.P. , Koval O.Y. , d.o.p.a.m.s. Osipov A.V. , Fedorov V.V. , Shtrom I.V. , Bolshakov A.D. , d.o.p.a.m.s. Kukushkin S.A. , Mukhin I.S. , Cirlin G.E. ,
Name Publication:
Materials Science in Semiconductor Processing
Volume Publication:
90
Pages:
20 - 25
Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.