Чистая комната класса ISO 7/ISO 8 соответствует российским стандартам и обеспечивает строго контролируемую среду с минимальным содержанием частиц загрязнений в воздухе. Это критически важно для производства полупроводниковых структур, где даже микроскопические загрязнения могут существенно повлиять на качество и характеристики конечного продукта.
Новое высокотехнологичное помещение оснащено двумя специализированными установками для синтеза карбида кремния на кремнии, специально разработанными для реализации нового метода согласованного замещения атомов. Метод был открыт, экспериментально подтвержден и запатентован в лаборатории «Структурных и фазовых превращений в конденсированных средах» под руководством главного научного сотрудника ИПМаш РАН, профессора Сергея Арсеньевича Кукушкина.

Установленное оборудование позволяет выращивать высококачественные слои кубического карбида кремния (3C-SiC) на кремниевых подложках — материала, который является ключевым компонентом для создания современных полупроводниковых приборов.
Работы проводятся при поддержке Российского научного фонда –проект 23-91-01001 «Разработка специальных подложек кубического карбида кремния на кремнии (3C-SiC/Si) для роста транзисторных гетероструктур Ga(Al)N с высокой подвижностью носителей заряда (HEMT)»