Поиск по тегу «полупроводники»

19 июня в лаборатории Структурных и фазовых превращений в конденсированных средах состоялось торжественное открытие чистой комнаты класса ISO 7/ISO 8

Физики ИПМаш РАН, СПбГУ,ВШЭ и СПбАУ изучили механизм формирования трехмерных структур на перспективном полупроводниковом сплаве индий-галий-нитрид.

Перспективные разработки и потенциал полупроводников на основе «карбида кремния» в технологиях, предложенные доктором физико-технических наук Кукушкиным Сергеем Арсеньевичем.