Поиск по тегу «микроэлектроника»

Специалисты ИПМаш РАН разработали и успешно апробировали новый подход к моделированию роста кристаллов, который способен предсказать их свойства.

«Санкт-Петербург» и «ЛенТВ24» рассказали о новом материале, выращенном сотрудниками лаборатории «Структурные и фазовые превращения в конденсированных средах», возглавляемой С.А. Кукушкиным

Перспективные разработки и потенциал полупроводников на основе «карбида кремния» в технологиях, предложенные доктором физико-технических наук Кукушкиным Сергеем Арсеньевичем.