ipmash@ipme.ru | +7-812-321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
ИПМаш РАН ИПМаш РАН

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

Перспективы отечественных полупроводников.

2020 год принёс новой виток в перспективы развития микроэлектроники. В частности, руководителем УНУ (Уникальной научной установки «Физики, химии и механики кристаллов и тонких плёнок») Института проблем машиноведения РАН, профессором доктором физико-математических наук Кукушкиным Сергеем Арсеньевичем были предложены следующие идеи.

(Руководитель УНУ ИПМаш РАН, профессор, доктор физико-математических наук, Кукушкин Сергей Арсеньевич)

Во-первых, использовать для надёжной работы систем связи нового поколения 5G широкозонные полупроводники со слоем карбида кремния, что повысило бы работу приборов в условиях повышенных температур и высоких радиоактивных излучений. И в дальнейшем удешевило бы производство. И стало бы актуально в тех рамках, что в планах Российской Федерации к 2024 году стоит цель распространения 5G-покрытия на территории страны, на данный момент действует лишь одна тестовая площадка запущенная в Кронштадте.

Во-вторых, использование в медицине, а именно полупроводники на основе карбида кремния для усиления терагерцевого излучения, применяемого для терапии легочных осложнений. Терагерцевое терапия показала, что при её использовании сроки пребывания пациента в реанимационном отделении значительно снижаются. Предполагается для увеличения эффективности работы терагерцового томографа использовать полупроводники — пластины кремния со слоем нанокарбида кремния, которые, значительно увеличат мощность терагерцевого излучения и значительно расширить его частотный спектр. Одной из предполагаемых болезней, в лечении которых планируется использовать терагецовые томографы с данным полупроводниками должна стать пневмония. Но в рамках текущей пандемии COVID 19, может и использована для оказания помощи тяжелобольным, а также для дезинфекции.


(Рис. Фотография первых светодиодов на основе гетероструктур GaN/AlGaN/AlN, выращенных на кремниевой подложке с буферным слоем карбида кремния, в УНУ ИПМаш РАН)

Однако, как уже было заявлено ранее, технология использования «карбида кремния» не ограничена только вышеупомянутыми примерами, они лишь доказывают открывающиеся перспективы возможности, на основе которых можно создавать и дорабатывать потенциал широкого спектра приборов: от светодиодов, транзисторов и лазеров, до различного рода датчиков и других приборов микро-оптоэлектроники. Сама технология имеет аналоги в США. Так как во времена СССР наука кибернетика была под запретом, и основная ставка делалась на производство лампового оборудование. Но текущее состояние открывает возможность в случае увеличения производственных мощностей к созданию отечественной базы микроэлектроники, что может быть весьма актуальны с учётом внешнеполитических действий и политики санкции.

Резюмируя, стоит отметить, что область применения данной технологии, нельзя ограничить какой-либо областью, например связи или медицины, без преувеличений потенциал и востребованность открывается безграничная.

Источники:
1. Ученые РФ нашли способ усилить терагерцевый томограф для терапии легочных осложнений НАУКА: ИЗЛУЧЕНИЕ-ПОЛУПРОВОДНИКИ-МЕДИЦИНА-ПЕТЕРБУРГ САНКТ-ПЕТЕРБУРГ //ТАСС, от 23.04.2020
2. Ученые РФ разработают методы повышения эффективности и надежности полупроводников НАУКА: ПОЛУПРОВОДНИКИ-СЛОИ-СИНТЕЗ-ПЕТЕРБУРГ САНКТ-ПЕТЕРБУРГ, 8 апреля. ,//ТАСС, от 8.04.2020

15:52
Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.