Кукушкин С.А. · Научная деятельность · Все — Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

Initial stages of growth of diamond island films on crystalline silicon

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Feoktistov N.A. , Afanas’ev V.V. , Golubev V.G. , Grudinkin S.A. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , Melekhin V.G.

Название издания:

Semiconductors

Том издания:

36

Выпуск издания:

8

Страницы издания:

848 - 851

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/1.1500458

Identification of non-measurable parameters of ferroelectrics by optimization method

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Guzenko P.Tu. , Spirin V.V.

Название издания:

2003 International Conference Physics and Control, PhysCon 2003 - Proceedings

Том издания:

3

Выпуск издания:

/ 1237030

Страницы издания:

937 - 941

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1109/PHYCON.2003.1237030

Heteroepitaxy of gallium nitride layers: The role of initial stages in film formation

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Bessolov V.N. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Luk'yanov A.V.

Название издания:

Materials Physics and Mechanics

Том издания:

6

Выпуск издания:

1

Страницы издания:

1 - 12

The Influence of Nonlinear Carbon Synthesis Reactions on the Nucleation of Pores in Carbon Nanomaterials

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Gordeev S.K. , Guzenko P.Yu. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , д.т.н. Фрадков А.Л.

Название издания:

Russian Journal of Physical Chemistry A

Том издания:

77

Выпуск издания:

10

Страницы издания:

1670 - 1672

The Kinetics of Nucleation at the Eutectic Point and the Mechanism of Domain Structure Formation

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В.

Название издания:

Russian Journal of Physical Chemistry A

Том издания:

77

Выпуск издания:

10

Страницы издания:

1645 - 1649

Determining parameters of ferroelectric crystals by method of optimization

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Guzenko P.Y. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , д.т.н. Фрадков А.Л. , Spirin V.V.

Название издания:

Technical Physics Letters

Том издания:

30

Выпуск издания:

12

Страницы издания:

1013 - 1016

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/1.1846843

Theory of switching of multiaxial ferroelectrics (initial stage)

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Zakharov M.A. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В.

Название издания:

Physics of the Solid State

Том издания:

46

Выпуск издания:

7

Страницы издания:

1277 - 1284

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/1.1778453

Nucleation and Growth Kinetics of Nanofilms

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В.

Название издания:

Nucleation Theory and Applications

Страницы издания:

215 - 255

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1002/3527604790.ch7

Nucleation of pores in brittle solids under load

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.ф.м.н. Кукушкин С.А.

Название издания:

Journal of Applied Physics

Том издания:

98

Выпуск издания:

3 / 033503

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1063/1.1957131

Theory of switching of multiaxial ferroelectrics (the main stages)

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Zakharov M.A. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В.

Название издания:

Physics of the Solid State

Том издания:

47

Выпуск издания:

4

Страницы издания:

697 - 702

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/1.1913983

Nonequilibrium heteroepitaxy of silicon carbide on silicon

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Gordeev S.K. , Korchagina S.B.

Название издания:

Technical Physics Letters

Том издания:

31

Выпуск издания:

10

Страницы издания:

859 - 861

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/1.2121839

Diffusional coalescence of island films on the real crystal surface in the case of layer-by-layer growth of islands-II. An open system. Undamped sources of deposited atoms

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , Sakalo T.V.

Название издания:

Acta Metallurgica Et Materialia

Том издания:

41

Выпуск издания:

4

Страницы издания:

1243 - 1244

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1016/0956-7151(93)90174-Q

Diffusional coalescence of island films on the real crystal surface in the case of layer-by-layer growth of islands-I. An isolated system

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , Sakalo T.V.

Название издания:

Acta Metallurgica Et Materialia

Том издания:

41

Выпуск издания:

4

Страницы издания:

1237 - 1241

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1016/0956-7151(93)90173-P

Diffusional coalescence of island films on the real crystal surface in the case of layer-by-layer growth of islands-IV. Theory and experiment

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Sakalo T.V. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А.

Название издания:

Acta Metallurgica Et Materialia

Том издания:

42

Выпуск издания:

8

Страницы издания:

2803 - 2810

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1016/0956-7151(94)90221-6

Microscopic theory of epitaxial film growth on vicinal surfaces

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В.

Название издания:

Thin Solid Films

Том издания:

227

Выпуск издания:

2

Страницы издания:

119 - 127

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1016/0040-6090(93)90028-N

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

Кукушкин С.А. - Руководитель подразделения - Структурные и фазовые превращения в конденсированных средах

Initial stages of growth of diamond island films on crystalline silicon

Identification of non-measurable parameters of ferroelectrics by optimization method

Heteroepitaxy of gallium nitride layers: The role of initial stages in film formation

The Influence of Nonlinear Carbon Synthesis Reactions on the Nucleation of Pores in Carbon Nanomaterials

The Kinetics of Nucleation at the Eutectic Point and the Mechanism of Domain Structure Formation

Determining parameters of ferroelectric crystals by method of optimization

Theory of switching of multiaxial ferroelectrics (initial stage)

Nucleation and Growth Kinetics of Nanofilms

Nucleation of pores in brittle solids under load

Theory of switching of multiaxial ferroelectrics (the main stages)

Nonequilibrium heteroepitaxy of silicon carbide on silicon

Diffusional coalescence of island films on the real crystal surface in the case of layer-by-layer growth of islands-II. An open system. Undamped sources of deposited atoms

Diffusional coalescence of island films on the real crystal surface in the case of layer-by-layer growth of islands-I. An isolated system

Diffusional coalescence of island films on the real crystal surface in the case of layer-by-layer growth of islands-IV. Theory and experiment

Microscopic theory of epitaxial film growth on vicinal surfaces

Контакты