ipmash@ipme.ru | +7 (812) 321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН ) Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

Institute for Problems in Mechanical Engineering
of the Russian Academy of Sciences

Institute for Problems in Mechanical Engineering of the Russian Academy of Sciences

Нестационарный транспорт энергии в гармоническом кристалле c источником на изотопном дефекте

DateTime Event:
18:30
Адрес проведения:
Online seminar
Theme:
Нестационарный транспорт энергии в одномерном гармоническом кристалле c источником на изотопном дефекте
Eventagenda:

Нестационарный транспорт энергии в одномерном гармоническом кристалле c источником на изотопном дефекте

С.Н. Гаврилов, Е.В. Шишкина ИПМаш РАН, С.-Петербург 15 ноября 2022, 18-30

Рассматривается процесс нестационарного переноса энергии в одномерном гармоническом кристалле (бесконечной цепочке взаимодействующих по линейному закону частиц) от источника на изотопном дефекте. Известно, что в случае легкого дефекта в системе возможны локализованные около дефекта колебания. Транспорт энергии связан с нелокализованной (распространяющейся) компонентой решения, которой соответствуют частоты из полосы пропускания. Для ее приближенного описания применяется оценка методом стационарной фазы, выполненная в подвижной точке наблюдения. На основе данной оценки производится асимптотическое отделение медленных движений, ответственных за перенос энергии, при помощи которых возможно континуальное описание процесса пере[1]носа. Показано, что распространяющаяся компонента “антилокализована” в окрестности включения. Физический смысл предложенного понятия антилокализации нестационарных (квази-)волн состоит в тенденции к их ослаблению в окрестности дефекта. Эффект антилокализации усиливается с ростом абсолютной величины разности массы изотопа и регулярной частицы и приводит к концентрации энергии непосредственно за передним фронтом нестационарной волны

Head administartor:
Докладчик
Фамилия докладчика С.Н. Гаврилов, Е.В. Шишкина
Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.