Epitaxy of silicon carbide films on silicon by the method of substitution of atoms to grow wide-bandgap semiconductors
Header:
Worker:
Telyatnik R.S. , c.o.p.a.m.s. Redkov A.V. , Lavrova T.V. , d.o.p.a.m.s. Osipov A.V. , c.o.p.a.m.s. Grashchenko A.S. , Kandakov A.V. , Антипов В. В.; Бенеманская Г. В.; Бессолов В. Н.; Дементьев П. А.; Жуков С. Г.; Коненкова Е. В.; Лапушкин М. Н.; Рожавская М. М.; Рубец В. П.; Тимошнев С. Н.; Уголков В. Л.; Феоктистов Н. А.; Цацульников А. Ф
Number:
№14-12-01102
Year(s):
2014-2016,2017-2018(продление)
Information:
Проект был одобрен и выполнен в рамках конкурса 2014 года «Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований отдельными научными группами».
Продление с 2017 по 2018 год было одобрено в рамках конкурса на продления в 2017 году в рамках конкурса на продление сроков выполнения, поддержанных грантами Российского научного фонда по приоритетному направлению деятельности Российского научного фонда «Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований отдельными научными группами».