ipmash@ipme.ru | +7 (812) 321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
EN RU
Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН ) Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

Institute for Problems in Mechanical Engineering
of the Russian Academy of Sciences

Institute for Problems in Mechanical Engineering of the Russian Academy of Sciences
  2. Research Activity
  3. Separation of stress-free AlN/SiC thin films from Si substrate

Separation of stress-free AlN/SiC thin films from Si substrate

Year(s):
2016
Autors:
c.o.p.a.m.s. Redkov A.V. , d.o.p.a.m.s. Osipov A.V. , Mukhin I.S. , d.o.p.a.m.s. Kukushkin S.A. ,
Name Publication:
Journal of Physics: Conference Series
Volume Publication:
741
Issue Publication:
1 / 012034
DOI:
https://doi.org/10.1088/1742-6596/741/1/012034
Web address:
https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-84989311642&doi=10.1088%2f1742-6596%2f741%2f1%2f012034&partnerID=40&md5=1d54c9ad1282ff951a9873953853cf00
Contacts
  • Address 199178,Saint-Petersburg,Boljshoy prospekt V.O.,d.61
  • Telephone +7 (812) 321-47-78
  • Fax +7 (812) 321-47-71
  • E-MAIL ipmash@ipme.ru
  • INSTITUTE E-MAIL Login
Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.