ipmash@ipme.ru | +7 (812) 321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН ) Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

Institute for Problems in Mechanical Engineering
of the Russian Academy of Sciences

Institute for Problems in Mechanical Engineering of the Russian Academy of Sciences

The use of SiC/Si(111) hybrid substrate for MBE growth of GaN nanowires

Year(s):
2016
Autors:
Reznik R.R. , Kotlyar K.P. , Ilkiv I.V. , Soshnikov I.P. , d.o.p.a.m.s. Kukushkin S.A. , d.o.p.a.m.s. Osipov A.V. , Nikitina E.V. , Cirlin G.E. ,
Name Publication:
Journal of Physics: Conference Series
Volume Publication:
741
Issue Publication:
1 / 012027
Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.