ipmash@ipme.ru | +7 (812) 321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН ) Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

Institute for Problems in Mechanical Engineering
of the Russian Academy of Sciences

Institute for Problems in Mechanical Engineering of the Russian Academy of Sciences

Photoemission study of nano SiC epitaxial layers synthesized by a new method of the atom substitutio

Year(s):
2015
Autors:
Benemanskaya G.V. , Dementev P.A. , d.o.p.a.m.s. Kukushkin S.A. , Lapushkin M.N. , d.o.p.a.m.s. Osipov A.V. , Senkovskiy B. , Timoshnev S.N. ,
Name Publication:
Materials Physics and Mechanics
Volume Publication:
22
Issue Publication:
2
Pages:
183 - 190
Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.