ipmash@ipme.ru | +7 (812) 321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН ) Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

Institute for Problems in Mechanical Engineering
of the Russian Academy of Sciences

Institute for Problems in Mechanical Engineering of the Russian Academy of Sciences

Synthesis of epitaxial silicon carbide films through the substitution of atoms in the silicon crysta

Year(s):
2014
Name Publication:
Physics of the Solid State
Volume Publication:
56
Issue Publication:
8
Pages:
1507 - 1535
Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.