ipmash@ipme.ru | +7 (812) 321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН ) Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

Institute for Problems in Mechanical Engineering
of the Russian Academy of Sciences

Institute for Problems in Mechanical Engineering of the Russian Academy of Sciences

Influence of Orientation of a Silicon Substrate with a Buffer Silicon Carbide Layer on Dielectric an

Year(s):
2019
Autors:
Sergeeva O.N. , Solnyshkin A.V. , Kiselev D.A. , Il’ina T.S. , d.o.p.a.m.s. Kukushkin S.A. , c.o.p.a.m.s. Sharofidinov Sh.Sh. , Kaptelov E.Y. , Pronin I.P. ,
Name Publication:
Physics of the Solid State
Volume Publication:
61
Issue Publication:
12
Pages:
2386 - 2391
Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.