ipmash@ipme.ru | +7 (812) 321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
EN RU
Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН ) Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

Institute for Problems in Mechanical Engineering
of the Russian Academy of Sciences

Institute for Problems in Mechanical Engineering of the Russian Academy of Sciences
  2. Research Activity
  3. Growing III–V Semiconductor Heterostructures on SiC/Si Substrates

Growing III–V Semiconductor Heterostructures on SiC/Si Substrates

Year(s):
2019
Autors:
c.o.p.a.m.s. Sharofidinov Sh.Sh. , d.o.p.a.m.s. Kukushkin S.A. , c.o.p.a.m.s. Redkov A.V. , c.o.p.a.m.s. Grashchenko A.S. , d.o.p.a.m.s. Osipov A.V. ,
Name Publication:
Technical Physics Letters
Volume Publication:
45
Issue Publication:
7
Pages:
711 - 713
DOI:
https://doi.org/10.1134/S1063785019070277
Web address:
https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-85071363125&doi=10.1134%2fS1063785019070277&partnerID=40&md5=2e34db3d8e66ac60811831771dda54e9
Contacts
  • Address 199178,Saint-Petersburg,Boljshoy prospekt V.O.,d.61
  • Telephone +7 (812) 321-47-78
  • Fax +7 (812) 321-47-71
  • E-MAIL ipmash@ipme.ru
  • INSTITUTE E-MAIL Login
Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.