ipmash@ipme.ru | +7 (812) 321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН ) Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

Institute for Problems in Mechanical Engineering
of the Russian Academy of Sciences

Institute for Problems in Mechanical Engineering of the Russian Academy of Sciences

Distribution of dislocations near the interface in AIN crystals grown on evaporated SiC substrates

Year(s):
2017
Autors:
Argunova T.S. , d.o.p.a.m.s. Gutkin M.Yu. , Je J.H. , Kalmykov A.E. , Kazarova O.P. , Mokhov E.N. , c.o.p.a.m.s. Mikaelyan K.N. , Myasoedov A.V. , Sorokin L.M. , Shcherbachev K.D. ,
Name Publication:
Crystals
Volume Publication:
7
Issue Publication:
6 / 163
Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.