ipmash@ipme.ru | +7 (812) 321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
EN RU
Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН ) Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

Institute for Problems in Mechanical Engineering
of the Russian Academy of Sciences

Institute for Problems in Mechanical Engineering of the Russian Academy of Sciences
  2. Research Activity
  3. Nanoindentation of GaN/SiC thin films on silicon substrate

Nanoindentation of GaN/SiC thin films on silicon substrate

Year(s):
2017
Autors:
c.o.p.a.m.s. Grashchenko A.S. , d.o.p.a.m.s. Kukushkin S.A. , d.o.p.a.m.s. Osipov A.V. , c.o.p.a.m.s. Redkov A.V. ,
Name Publication:
Journal of Physics and Chemistry of Solids
Volume Publication:
102
Pages:
151 - 156
DOI:
https://doi.org/10.1016/j.jpcs.2016.11.004
Web address:
https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-85007242251&doi=10.1016%2fj.jpcs.2016.11.004&partnerID=40&md5=cf2b81d0778a6303939416a63346b022
Contacts
  • Address 199178,Saint-Petersburg,Boljshoy prospekt V.O.,d.61
  • Telephone +7 (812) 321-47-78
  • Fax +7 (812) 321-47-71
  • E-MAIL ipmash@ipme.ru
  • INSTITUTE E-MAIL Login
Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.