ipmash@ipme.ru | +7 (812) 321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН ) Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

Institute for Problems in Mechanical Engineering
of the Russian Academy of Sciences

Institute for Problems in Mechanical Engineering of the Russian Academy of Sciences

Peculiarities of Epitaxial Growth of III–N LED Heterostructures on SiC/Si Substrates

Year(s):
2021
Autors:
Cherkashin N.A. , Sakharov A.V. , Nikolaev A.E. , Lundin V.V. , Usov S.O. , Ustinov V.M. , c.o.p.a.m.s. Grashchenko A.S. , d.o.p.a.m.s. Kukushkin S.A. , d.o.p.a.m.s. Osipov A.V. , Tsatsul’nikov A.F. ,
Name Publication:
Technical Physics Letters
Volume Publication:
47
Issue Publication:
10
Pages:
753 - 756
Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.