ipmash@ipme.ru | +7 (812) 321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН ) Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

Institute for Problems in Mechanical Engineering
of the Russian Academy of Sciences

Institute for Problems in Mechanical Engineering of the Russian Academy of Sciences

Magnetic Properties of Thin Epitaxial SiC Layers Grown by the Atom-Substitution Method on Single-Cry

Year(s):
2021
Autors:
Bagraev N.T. , d.o.p.a.m.s. Kukushkin S.A. , d.o.p.a.m.s. Osipov A.V. , Romanov V.V. , Klyachkin L.E. , Malyarenko A.M. , Khromov V.S. ,
Name Publication:
Semiconductors
Volume Publication:
55
Issue Publication:
2
Pages:
137 - 145
Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.