ipmash@ipme.ru | +7 (812) 321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
EN RU
Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН ) Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

Institute for Problems in Mechanical Engineering
of the Russian Academy of Sciences

Institute for Problems in Mechanical Engineering of the Russian Academy of Sciences
  2. Research Activity
  3. A new method for creating nanoprofiled epitaxial silicon carbide surfaces on silicon

A new method for creating nanoprofiled epitaxial silicon carbide surfaces on silicon

Year(s):
2020
Autors:
c.o.p.a.m.s. Grashchenko A.S. , d.o.p.a.m.s. Kukushkin S.A. , d.o.p.a.m.s. Osipov A.V. ,
Name Publication:
Journal of Physics: Conference Series
Volume Publication:
1695
Issue Publication:
1 / 012005
DOI:
https://doi.org/10.1088/1742-6596/1695/1/012005
Web address:
https://www.scopus.com/inward/record.uri?eid=2-s2.0-85098881901&doi=10.1088%2f1742-6596%2f1695%2f1%2f012005&partnerID=40&md5=c80cc6f3b02d97c58d37d7e211a55cf5
Contacts
  • Address 199178,Saint-Petersburg,Boljshoy prospekt V.O.,d.61
  • Telephone +7 (812) 321-47-78
  • Fax +7 (812) 321-47-71
  • E-MAIL ipmash@ipme.ru
  • INSTITUTE E-MAIL Login
Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.