ipmash@ipme.ru | +7 (812) 321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН ) Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

Institute for Problems in Mechanical Engineering
of the Russian Academy of Sciences

Institute for Problems in Mechanical Engineering of the Russian Academy of Sciences

Ascending Si diffusion into growing GaN nanowires from the SiC/Si substrate: Up to the solubility li

Year(s):
2020
Autors:
Talalaev V.G. , Tomm J.W. , d.o.p.a.m.s. Kukushkin S.A. , d.o.p.a.m.s. Osipov A.V. , Shtrom I.V. , Kotlyar K.P. , Mahler F. , Schilling J. , Reznik R.R. , Cirlin G.E. ,
Name Publication:
Nanotechnology
Volume Publication:
31
Issue Publication:
29 / 294003
Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.