ipmash@ipme.ru | +7 (812) 321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
EN RU
Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН ) Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

Institute for Problems in Mechanical Engineering
of the Russian Academy of Sciences

Institute for Problems in Mechanical Engineering of the Russian Academy of Sciences
  2. Research Activity
  3. Wide-bandgap semiconductor materials for power electronics that are formed on silicon with a nano-SiC buffer layer

Wide-bandgap semiconductor materials for power electronics that are formed on silicon with a nano-SiC buffer layer

Header:
d.o.p.a.m.s. Kukushkin S.A. ,
Number:
№16-29-03149
Contacts
  • Address 199178,Saint-Petersburg,Boljshoy prospekt V.O.,d.61
  • Telephone +7 (812) 321-47-78
  • Fax +7 (812) 321-47-71
  • E-MAIL ipmash@ipme.ru
  • INSTITUTE E-MAIL Login
Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.