Гращенко А.С. · Научная деятельность · Все — Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

Growing III–V Semiconductor Heterostructures on SiC/Si Substrates

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

к.ф.м.н. Шарофидинов Ш.Ш. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , к.ф.м.н. Редьков А.В. , к.ф.м.н. Гращенко А.С. , д.ф.м.н. Осипов А.В.

Название издания:

Technical Physics Letters

Том издания:

45

Выпуск издания:

7

Страницы издания:

711 - 713

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S1063785019070277

Strength and structural properties of AlN films grown on SiC/Si substrates synthesized by atomic substitution

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

к.ф.м.н. Гращенко А.С. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В.

Название издания:

Journal of Physics: Conference Series

Том издания:

1410

Выпуск издания:

1 / 012003

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1088/1742-6596/1410/1/012003

Strength and structural properties of AlN films grown on SiC/Si substrates synthesized by atomic substitution

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

к.ф.м.н. Гращенко А.С. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В.

Название издания:

Journal of Physics: Conference Series

Том издания:

1410

Выпуск издания:

1 / 012244

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1088/1742-6596/1410/1/012244

Nanoindentation and deformation properties of nanoscale silicon carbide films on silicon substrate

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

к.ф.м.н. Гращенко А.С. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В.

Название издания:

Technical Physics Letters

Том издания:

40

Выпуск издания:

12

Страницы издания:

1114 - 1116

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S1063785014120268

Microhardness study of two-layer nanostructures by a nanoindentation method

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

к.ф.м.н. Гращенко А.С. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В.

Название издания:

Materials Physics and Mechanics

Том издания:

24

Выпуск издания:

1

Страницы издания:

35 - 40

Effect of the nand p-type Si(100) substrates with a SiC buffer layer on the growth mechanism and structure of epitaxial layers of semipolar AlN and GaN

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Bessolov V.N. , к.ф.м.н. Гращенко А.С. , Konenkova E.V. , Myasoedov A.V. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , к.ф.м.н. Редьков А.В. , Rodin S.N. , Rubets V.P. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А.

Название издания:

Physics of the Solid State

Том издания:

57

Выпуск издания:

10

Страницы издания:

1966 - 1971

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S1063783415100042

Study of β-Ga2O3 epitaxial layers and single crystals by nanoindentation technique

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Guzilova L.I. , к.ф.м.н. Гращенко А.С. , Pechnikov A.I. , Maslov V.N. , Zav'Yalov D.V. , Abdrachmanov V.L. , Romanov A.E. , Nikolaev V.I.

Название издания:

Materials Physics and Mechanics

Том издания:

29

Выпуск издания:

2

Страницы издания:

166 - 171

Эпитаксия пленок карбида кремния на кремнии методом замещения атомов для роста широкозонных полупроводников

ГРАНТЫ РНФ

Номер гранта:

№14-12-01102

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

Гращенко А.С. - Старший научный сотрудник - Структурные и фазовые превращения в конденсированных средах

Growing III–V Semiconductor Heterostructures on SiC/Si Substrates

Strength and structural properties of AlN films grown on SiC/Si substrates synthesized by atomic substitution

Strength and structural properties of AlN films grown on SiC/Si substrates synthesized by atomic substitution

Nanoindentation and deformation properties of nanoscale silicon carbide films on silicon substrate

Microhardness study of two-layer nanostructures by a nanoindentation method

Effect of the nand p-type Si(100) substrates with a SiC buffer layer on the growth mechanism and structure of epitaxial layers of semipolar AlN and GaN

Study of β-Ga2O3 epitaxial layers and single crystals by nanoindentation technique

Эпитаксия пленок карбида кремния на кремнии методом замещения атомов для роста широкозонных полупроводников

Контакты