ipmash@ipme.ru | +7 (812) 321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН ) Институт Проблем Машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

Institute for Problems in Mechanical Engineering
of the Russian Academy of Sciences

Institute for Problems in Mechanical Engineering of the Russian Academy of Sciences

Search by the «5g» tag

IPMash RAS scientists have created a mock-up of substrates for the production of new generation Russian transistors
IPMash RAS scientists received an RSF grant on a topic proposed by Epiel JSC. The grant is aimed at developing a technology for creating a new type of substrate for the future production of heterostructures of galium nitride
1620
Перспективы отечественных полупроводников.
Перспективные разработки и потенциал полупроводников на основе «карбида кремния» в технологиях, предложенные доктором физико-технических наук Кукушкиным Сергеем Арсеньевичем.
825
Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.