ipmash@ipme.ru | +7-812-321-47-78
пн-пт 10.00-17.00
Институт проблем машиноведения РАН ( ИПМаш РАН ) Институт проблем машиноведения РАН ( ИПМаш РАН )

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

Поиск по тегу «physics»

В издательстве Springer вышла монография, с результатами многолетней работы сотрудников ИПМаш РАН
В издательстве Springer вышла монография главного научного сотрудника, профессора Юрия Ивановича Мещерякова «Multiscale Mechanics of Shock Wave Processes»
В ИПМаш РАН разработан принципиально новый материал для спинтроники: карбид кремния на кремнии
Доклад на Научном совете ОНИТ РАН "Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для ее создания" д.ф-м.н. А.В. Осипова.
Скин-эффект при взаимодействие металлов с содержащими водород средами.
​Сотрудниками ИПМаш РАН при реализации проекта, посвящённому влиянию водорода на металлы был задействован принцип Анри Ле Шателье.
Создание новой молодежной лаборатории
По результатам конкурса Минобрнауки, в ИПМаш РАН создана новая молодёжная лаборатория.
В ИПМаш РАН исследовали новый механизм разрушения и разработали математические модели для прогноза
Корреспонденты ТАСС посвятили статью новым прорывным результатам исследований, выполненных в лаборатории структурных и фазовых превращений в конденсированных средах.
Корреспонденты ТАСС отметили, успех сотрудников ИПМаш РАН в создании светодиодов нового поколения.
Ученые ИПМаш РАН, опираясь на результаты своих фундаментальных исследований, разработали новую промышленную технологию производства подложек из наномасштабного карбида кремния для производства полупроводниковых элементов.
Новые разработки сотрудников ИПМаш РАН в области устойчивости динамических систем отмечены в СМИ.
Сотрудниками ИПМаш РАН под руководством профессора, доктора технических наук Игоря Борисовича Фуртата разработан новый дивергентный метод исследования устойчивости динамических систем.
Перспективы отечественных полупроводников.
Перспективные разработки и потенциал полупроводников на основе «карбида кремния» в технологиях, предложенные доктором физико-технических наук Кукушкиным Сергеем Арсеньевичем.
Используя этот сайт, вы соглашаетесь с тем, что мы используем файлы cookie.