Научная деятельность

Effect of SiC buffer layer on GaN growth on Si via PA-MBE

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , Mizerov A.M. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , к.ф.м.н. Редьков А.В. , Телятник Р.С. , Timoshnev S.N.

Название издания:

Journal of Physics: Conference Series

Том издания:

917

Выпуск издания:

3 / 032038

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1088/1742-6596/917/3/032038

GaN growth via HVPE on SiC/Si substrates: Growth mechanisms

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

к.ф.м.н. Шарофидинов Ш.Ш. , к.ф.м.н. Редьков А.В. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А.

Название издания:

Journal of Physics: Conference Series

Том издания:

917

Выпуск издания:

3 / 032028

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1088/1742-6596/917/3/032028

Fast and slow thermal processes in harmonic scalar lattices

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.ф.м.н. Кузькин В.А. , д.ф.м.н. Кривцов А.М.

Название издания:

Journal of Physics Condensed Matter

Том издания:

29

Выпуск издания:

50 / 505401

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1088/1361-648X/aa98eb

Determination of the composition of liquids using spectral analysis of the electric discharge radiation

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Ramazanov A.N. , Kostrin D.K. , Lisenkov A.A.

Название издания:

Journal of Physics: Conference Series

Том издания:

929

Выпуск издания:

1 / 012062

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1088/1742-6596/929/1/012062

Plasma of a vacuum-arc discharge for obtaining carbon-based coatings

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Pikus M.I. , Lisenkov A.A. , Kostrin D.K. , Trifonov S.A.

Название издания:

Journal of Physics: Conference Series

Том издания:

929

Выпуск издания:

1 / 012093

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1088/1742-6596/929/1/012093

Laser-excited motion of liquid crystals confined in a microsized volume with a free surface

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.ф.м.н. Захаров Александр Васильевич , Maslennikov P.V.

Название издания:

Physical Review E

Том издания:

96

Выпуск издания:

5 / 052705

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1103/PhysRevE.96.052705

Large ecosystems in transition: Bifurcations and mass extinction

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Sudakov I. , д.ф.м.н. Вакуленко Сергей Августович , Kirievskaya D. , Golden K.M.

Название издания:

Ecological Complexity

Том издания:

32

Страницы издания:

209 - 216

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1016/j.ecocom.2017.01.002

Neurofeedback learning modifies the incidence rate of alpha spindles, but not their duration and amplitude

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Ossadtchi A. , Shamaeva T. , Okorokova E. , Moiseeva V. , Lebedev M.A.

Название издания:

Scientific Reports

Том издания:

7

Выпуск издания:

1 / 3772

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1038/s41598-017-04012-0

Contact of two equal rigid pulleys with a belt modelled as Cosserat nonlinear elastic rod

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.ф.м.н. Беляев А.К. , Eliseev V.V. , Irschik H. , Oborin E.A.

Название издания:

Acta Mechanica

Том издания:

228

Выпуск издания:

12

Страницы издания:

4425 - 4434

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1007/s00707-017-1942-0

A folded plate clamped along one side only [Une plaque pliée encastrée d'un côté seulement]

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.ф.м.н. Назаров С.А. , Slutskij A.S.

Название издания:

Comptes Rendus - Mecanique

Том издания:

345

Выпуск издания:

12

Страницы издания:

903 - 907

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1016/j.crme.2017.07.003

An asymptotic formula for displacement field in triangular lattice with vacancy

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Цаплин В.А. , д.ф.м.н. Кузькин В.А.

Название издания:

Letters on Materials

Том издания:

7

Выпуск издания:

4

Страницы издания:

341 - 344

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.22226/2410-3535-2017-4-341-344

IR spectra of carbon-vacancy clusters in the topochemical transformation of silicon into silicon carbide

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Grudinkin S.A. , д.ф.м.н. Кукушкин С.А. , д.ф.м.н. Осипов А.В. , Feoktistov N.A.

Название издания:

Physics of the Solid State

Том издания:

59

Выпуск издания:

12

Страницы издания:

2430 - 2435

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S1063783417120186

Dynamics of threading dislocations in porous heteroepitaxial GaN films

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.ф.м.н. Гуткин М.Ю. , Rzhavtsev E.A.

Название издания:

Physics of the Solid State

Том издания:

59

Выпуск издания:

12

Страницы издания:

2394 - 2400

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S1063783417120198

Effect of an electric field on the structural and optical properties of fluorinated freely suspended smectic films

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

Śliwa I. , д.ф.м.н. Захаров Александр Васильевич

Название издания:

Physics of the Solid State

Том издания:

59

Выпуск издания:

12

Страницы издания:

2502 - 2511

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S1063783417120290

Design of a control algorithm for objects with parametric uncertainty, disturbances, and input signal saturation

НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ

Авторы:

д.т.н. Фуртат И.Б.

Название издания:

Automation and Remote Control

Том издания:

78

Выпуск издания:

12

Страницы издания:

2178 - 2192

ДОИ (doi):

https://doi.org/10.1134/S0005117917120062

МИНОБРНАУКИ РОССИИ
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки
Институт проблем машиноведения Российской академии наук

Показатели Научной деятельности Института

Последние заседания диссертационных советов

Последние объявления о диссертациях

Последние семинары

Последние конференции

Effect of SiC buffer layer on GaN growth on Si via PA-MBE

GaN growth via HVPE on SiC/Si substrates: Growth mechanisms

Fast and slow thermal processes in harmonic scalar lattices

Determination of the composition of liquids using spectral analysis of the electric discharge radiation

Plasma of a vacuum-arc discharge for obtaining carbon-based coatings

Laser-excited motion of liquid crystals confined in a microsized volume with a free surface

Large ecosystems in transition: Bifurcations and mass extinction

Neurofeedback learning modifies the incidence rate of alpha spindles, but not their duration and amplitude

Contact of two equal rigid pulleys with a belt modelled as Cosserat nonlinear elastic rod

A folded plate clamped along one side only [Une plaque pliée encastrée d'un côté seulement]

An asymptotic formula for displacement field in triangular lattice with vacancy

IR spectra of carbon-vacancy clusters in the topochemical transformation of silicon into silicon carbide

Dynamics of threading dislocations in porous heteroepitaxial GaN films

Effect of an electric field on the structural and optical properties of fluorinated freely suspended smectic films

Design of a control algorithm for objects with parametric uncertainty, disturbances, and input signal saturation

Контакты

Международный рейтинг SCIMAGO INSTITUTIONS RANKING на 2021 год.
В общем рейтинге всех научных организаций России, ИПМаш РАН -39 из 146.	В общем рейтинге среди всех организаций науки и высшего образования в России, ИПМаш РАН занимает 88 из 319