Ученые ИПМаш РАН, опираясь на результаты своих фундаментальных исследований, разработали новую промышленную технологию производства подложек из наномасштабного карбида кремния для производства полупроводниковых элементов. Сделали также следующий важный шаг – разработана технология производства первых светодиодов на новых подложках.

Технология производства нового материала – наномасштабного карбида кремния – является значительно более дешевой и простой, чем технология производства подложек из карбида кремния или сапфира. При этом сохраняются все уникальные свойства полупроводниковых элементов, получаемых на таких подложках: большая стабильность параметров, возможность работы в агрессивных средах, стойкость к высоким температурам и к различным ионизирующим излучениям.

Профессор, д.ф-м.н. Кукушкин Сергей Арсеньевич, заведующий лаборатории Структурных превращений в конденсированных средах, Института проблем машиноведения Российская академии наук.

Фотография первых светодиодов на основе гетероструктур GaN/AlGaN/AlN, выращенных на кремниевой подложке с буферным слоем карбида кремния.

 Заведующий лабораторией структурных и фазовых превращений в конденсированных средах института проблем машиноведения РАН, доктор физико-математических наук Кукушкин Сергей Арсеньевич, рассказал о перспективах использования новых светодиодов. Они могут применяться, как для создания дисплеев со сверхвысоким разрешением, так в оптических микроэлектронных приборах для космической техники и ядерной энергетики. В настоящий момент проведены переговоры с промышленностью и определена площадка для производства новых светодиодов, которая готовится к запуску.

От лица ИПМаш РАН, хотелось бы поздравить с данным научным результатом Сергея Арсеньевича и всех работающих под его началом сотрудников, а также пожелать дальнейших успехов в этом направлении.

Источник:5 июля 2021, 09:14 Ученые РФ создали дешевый светодиод на основе нового материала для микроэлектроники /ТАСС/.